国家知识产权局信息显示，武汉敏声新技术有限公司申请一项名为“一种压电式压力传感器及其制备方法”的专利，公开号CN121038582A，申请日期为2025年8月。专利摘要显示，本发明公开了一种压电式压力传感器及其制备方法。该压电式压力传感器包括：衬底；压电驱动层，位于所述衬底的一侧；第一空腔，沿第一方向，所述第一空腔贯穿至少部分所述衬底；所述第一方向为所述衬底的厚度方向；限位结构，位于所述第一空腔中，且与所述压电驱动层之间的距离满足预设距离范围。本发明通过设置用于对压电驱动层进行限位的限位结构位于第一空腔中，可使本发明限位结构的设置不会引入额外的阻尼、共振、应力、静电噪声和压阻效应，有利于降低限位结构对压电式压力传感器的响应速度和测量精度得影响，且相较于将限位结构设置在安装板或封装结构上的方案，有利于减小压电式压力传感器的体积。
天眼查资料显示，武汉敏声新技术有限公司，成立于2019年，位于武汉市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本2411.5347万人民币。通过天眼查大数据分析，武汉敏声新技术有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目6次，财产线索方面有商标信息36条，专利信息333条，此外企业还拥有行政许可2个。
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